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Question 1
SH69P20在对I/O的控制寄存器进行逻辑操作时，I/O状态设置不正常。
Question 2
应用程序在USB ICE66上进行调试时，PORTF无论作输入口还是输出口状态总是不停的变化。
Question 3
SH66P12做简易温度测试器程序烧写后测试.静态电流超过40uA。
Question 4
用I/O来做option时测试静态电流偏大。
Question 5
T0端在不应用时，接VDD、GND或悬空不接?
Question 6
在SH66/67/69系列应用中，I/O与Segment Pin 共享时，如果只作为Segment使用时对应PORT数据寄存器和PORT模式控制寄存器，是否可作为普通RAM使用?为什么?
Question 7
在SH69P25应用中，芯片附近有干扰时，RC振荡频率漂移比较大是什么原因?

Question 1
SH69P20在对I/O的控制寄存器进行逻辑操作时，I/O状态设置不正常。
Answer
SH69P20的I/O的控制寄存器是唯写RAM。无法进行读的操作.建议立即数操作。

Question 2
应用程序在USB ICE66上进行调试时，PORTF无论作输入口还是输出口状态总是不停的变化。
Answer
在ICE66仿真窗口的Config\Device configuration的选项中有一项reserved RAM设置。Default为 $1D，正好是PORTF的状态RAM被系统占用，需将其设置为其它任意你无需用到的RAM。

Question 3
SH66P12做简易温度测试器程序烧写后测试.静态电流超过40uA。
Answer
客户在烧写程序时将未使用的I/O口设置为PMOS且外面悬空，可能导致I/O口电平不确定，出现漏电现象，建议将所有未用到的I/O都设定成CMOS口。

Question 4
用I/O来做option时测试静态电流偏大。
Answer
用I/O来做option时一般是将I/O当输入口来用内部pull-up enable，当程序判断到I/O外部被拉低后，需将输入口状态改为输出口，并输出相应的电平，否则会出现I/O漏电的现象。

Question 5
T0端在不应用时，接VDD、GND或悬空不接?
Answer
VDD或GND都可以。由于T0是输入端，若悬空的话，会引起电流增大几个uA。

Question 6
在SH66/67/69系列应用中，I/O与Segment Pin 共享时，如果只作为Segment使用时对应PORT数据寄存器和PORT模式控制寄存器，是否可作为普通RAM使用?为什么?
Answer
PORT模式控制寄存器，是控制I/O的输出或输出,只作为Segment使用时，对PORT模式控制寄存器的读写，不会对I/O有所影响，可作为普通RAM使用; 而PORT数据寄存器不可以，因为PORT数据寄存器会反映PIN上的电平值。

Question 7
在SH69P25应用中，芯片附近有干扰时，RC振荡频率漂移比较大是什么原因?
Answer
在SH69P25的应用中设制成输入状态的IO口如果处于悬空状态，外部有干扰时会造成较大耗电，导致VDD迅速下降，影响RC振荡，使振荡频率漂移，影响IC正常工作。因此应用时，设为输入的端口都必须接上拉或下拉电阻。

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